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GaN HEMT
TVS
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ESD
Si MOS
SiC MOS
GaN HEMT
GaN HEMT
GaN级联结构,兼具Si
MOS
器件易于驱动(与传统Si器件驱动兼容度高)、栅压驱动范围宽(±20V)、
栅极可靠性高等优势和GaN器件高耐压、低导通电阻、高开关速度等优势。
MOV
5D-20D系类规格书下载
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